IPD068P03L3G مكونات إلكترونية أصلية جديدة IC رقاقة MCU BOM خدمة في المخزون IPD068P03L3G
سمات المنتج
| يكتب | وصف |
| فئة | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة |
| MFR | إنفينيون تكنولوجيز |
| مسلسل | أوبتيموس™ |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) قطع الشريط (CT) ديجي ريل® |
| حالة المنتج | نشيط |
| نوع فيت | قناة ف |
| تكنولوجيا | موسفيت (أكسيد المعدن) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 30 فولت |
| التيار – التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 70 أمبير (ح) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5 فولت، 10 فولت |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 6.8 مللي أوم عند 70 أمبير، 10 فولت |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2 فولت عند 150 ميكرو أمبير |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 91 نانو سي @ 10 فولت |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ± 20 فولت |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 7720 بيكو فاراد عند 15 فولت |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 100 واط (ح) |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (تي جي) |
| نوع التركيب | سطح جبل |
| حزمة جهاز المورد | PG-TO252-3 |
| الحزمة / القضية | TO-252-3، DPak (2 خيوط + علامة تبويب)، SC-63 |
| رقم المنتج الأساسي | IPD068 |
الوثائق والوسائط
| نوع المورد | وصلة |
| جداول البيانات | IPD068P03L3 ز |
| وثائق أخرى ذات صلة | دليل رقم الجزء |
| المنتج المميز | أنظمة معالجة البيانات |
| ورقة بيانات HTML | IPD068P03L3 ز |
| نماذج جمعية الإمارات للغوص | IPD068P03L3GATMA1 بواسطة Ultra Librarian |
التصنيفات البيئية والتصديرية
| يصف | وصف |
| حالة بنفايات | متوافق مع ROHS3 |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (غير محدود) |
| الوصول إلى الحالة | الوصول إلى غير متأثر |
| ECCN | إير99 |
| هتسسوس | 8541.29.0095 |
مصادر إضافية
| يصف | وصف |
| اسماء اخرى | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| الحزمة القياسية | 2500 |
الترانزستور
الترانزستور هوجهاز أشباه الموصلاتتستخدم ليضخم، يوسع، يبالغأويُحوّلالإشارات الكهربائية وقوة.يعتبر الترانزستور أحد اللبنات الأساسية للحداثةإلكترونيات.[1]انه يتكون منمادة أشباه الموصلات، عادة مع ثلاثة على الأقلمحطاتللاتصال بالدائرة الإلكترونية.أالجهد االكهربىأوحاضِريطبق على زوج واحد من أطراف الترانزستور ويتحكم في التيار من خلال زوج آخر من المحطات الطرفية.نظرًا لأن الطاقة (الخرج) التي يتم التحكم فيها يمكن أن تكون أعلى من طاقة التحكم (الإدخال)، يمكن للترانزستور تضخيم الإشارة.يتم تعبئة بعض الترانزستورات بشكل فردي، ولكن يتم العثور على الكثير منها مضمنًا فيهادوائر متكاملة.
النمساوية المجرية فيزيائي يوليوس إدغار ليلينفيلداقترح مفهوم أحقل التأثير الترانزستورفي عام 1926، ولكن لم يكن من الممكن فعليًا بناء جهاز فعال في ذلك الوقت.[2]أول جهاز عمل تم بناؤه كان أترانزستور نقطة الاتصالاخترع في عام 1947 من قبل الفيزيائيين الأمريكيينجون باردينووالتر براتينأثناء العمل تحتوليام شوكليفيمختبرات بيل.الثلاثة تقاسموا عام 1956جائزة نوبل في الفيزياءلإنجازهم.[3]النوع الأكثر استخدامًا من الترانزستور هومعدن أكسيد أشباه الموصلات تأثير الحقل الترانزستور(MOSFET) الذي اخترعهمحمد عطاللهوداون كانجفي مختبرات بيل في عام 1959.[4][5][6]أحدثت الترانزستورات ثورة في مجال الإلكترونيات، ومهدت الطريق لتصنيع أصغر وأرخصأجهزة الراديو,الآلات الحاسبة، وأجهزة الكمبيوتر، ضمن أشياء أخرى.
معظم الترانزستورات مصنوعة من مواد نقية جدًاالسيليكون، وبعض منالجرمانيومولكن في بعض الأحيان يتم استخدام بعض المواد الأخرى شبه الموصلة.قد يحتوي الترانزستور على نوع واحد فقط من حاملات الشحنة، في ترانزستور ذو تأثير المجال، أو قد يحتوي على نوعين من حاملات الشحنة فيناقل ثنائي القطبالأجهزة.بالمقارنة معأنبوب مفرغتكون الترانزستورات عمومًا أصغر حجمًا وتتطلب طاقة أقل لتشغيلها.تتمتع بعض الأنابيب المفرغة بمزايا مقارنة بالترانزستورات عند ترددات التشغيل العالية جدًا أو الفولتية العالية.يتم تصنيع العديد من أنواع الترانزستورات وفقًا لمواصفات موحدة من قبل العديد من الشركات المصنعة.
