IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 مكون إلكتروني جديد لرقاقة IC

IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip مكون إلكتروني جديد صورة مميزة

وصف قصير:

إرسال البريد الإلكتروني لنا تحميل جدول التاريخ

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

IPD042P03L3 ز
وضع تعزيز القناة P ترانزستور التأثير الميداني (FET)، -30 فولت، D-PAK
تتضمن عائلات Opti MOS™‎ المبتكرة للغاية من Infineon وحدات MOSFET ذات طاقة p-channel.تلبي هذه المنتجات باستمرار أعلى متطلبات الجودة والأداء في المواصفات الرئيسية لتصميم نظام الطاقة مثل المقاومة على الحالة وخصائص الجدارة.

ملخص الميزات
وضع التحسين
مستوى المنطق
تصنيف الانهيار الجليدي
التبديل السريع
تصنيف Dv/dt
طلاء الرصاص خالي من الرصاص
متوافق مع RoHS، وخالي من الهالوجين
مؤهل وفقًا لـ AEC Q101
التطبيقات المحتملة
وظائف إدارة الطاقة
التحكم في المحركات
شاحن على متن الطائرة
العاصمة-العاصمة
مستهلك
المترجمين على مستوى المنطق
برامج تشغيل بوابة الطاقة MOSFET
تطبيقات التبديل الأخرى

تحديد

سمة المنتج	قيمة السمة
الصانع:	انفينيون
فئة المنتج:	موسفيت
بنفايات:	تفاصيل
تكنولوجيا:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	TO-252-3
قطبية الترانزستور:	قناة ف
عدد القنوات:	1 قناة
Vds - جهد انهيار مصدر التصريف:	30 فولت
المعرف - تيار التصريف المستمر:	70 أ
الطرق على - مقاومة مصدر التصريف:	3.5 مللي أوم
Vgs - جهد مصدر البوابة:	- 20 فولت، + 20 فولت
Vgs th - عتبة مصدر البوابة الجهد:	2 خامسا
Qg - رسوم البوابة:	175 ن.س
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	- 55 ج
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 175 ج
Pd - تبديد الطاقة:	150 واط
وضع القناة:	التعزيز
اسم تجاري:	أوبتيموس
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	إنفينيون تكنولوجيز
إعدادات:	أعزب
وقت السقوط:	22 نانو ثانية
الموصلية الأمامية – الحد الأدنى:	65 س
ارتفاع:	2.3 ملم
طول:	6.5 ملم
نوع المنتج:	موسفيت
وقت الشروق:	167 نانو ثانية
مسلسل:	أوبتيموس بي3
كمية حزمة المصنع:	2500
تصنيف فرعي:	الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة
نوع الترانزستور:	1 قناة بي
وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي:	89 نانو ثانية
وقت تأخير التشغيل النموذجي:	21 نانو ثانية
عرض:	6.22 ملم
الأسماء المستعارة الجزء #:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
وحدة الوزن:	0.011640 أوقية