UC2843BD1013TR ic رقاقة الدوائر المتكاملة إلكترونيات أشباه الموصلات العلامة التجارية الجديدة والأصلية شراء بقعة واحدة

1.LDO، أو منظم التسرب المنخفض، هو منظم خطي منخفض التسرب يستخدم ترانزستور أو أنبوب تأثير المجال (FET) يعمل في منطقة التشبع الخاصة به لطرح الجهد الزائد من جهد الدخل المطبق لإنتاج جهد خرج منظم.
العناصر الأربعة الرئيسية هي التسرب، والضوضاء، ونسبة رفض مصدر الطاقة (PSRR)، ونسبة ذكاء التيار الهادئ.
المكونات الرئيسية: دائرة البداية، وحدة انحياز مصدر التيار المستمر، دائرة التمكين، عنصر الضبط، المصدر المرجعي، مضخم الأخطاء، شبكة مقاومة التغذية الراجعة ودائرة الحماية، إلخ.

2.مبدأ التشغيل
تتكون دائرة LDO الأساسية من منظم تسلسلي VT ومقاومات أخذ العينات R1 وR2 ومضخم المقارنة A
يتم تشغيل النظام، إذا كان دبوس التمكين عند مستوى عالٍ، تبدأ الدائرة، وتوفر دائرة مصدر التيار الثابت انحيازًا للدائرة بأكملها، ويتم إنشاء جهد المصدر المرجعي بسرعة، ويتم استخدام جهد الإدخال غير المنظم كجهد لمصدر الطاقة ، يتم استخدام الجهد المرجعي كجهد إدخال الطور السلبي لمضخم الخطأ ، وتقسم شبكة التغذية المرتدة للمقاوم جهد الخرج وتحصل على جهد التغذية المرتدة ، ويتم إدخال جهد التغذية المرتدة هذا إلى نفس محطة الاتجاه الخاصة بمقارنة الخطأ ، والسلبية يتم إدخال جهد التغذية المرتدة هذا إلى الجانب المتناحي من مقارنة الخطأ ومقارنته بالجهد المرجعي السلبي.يتم تضخيم الفرق بين الفولتين بواسطة مضخم الخطأ للتحكم مباشرة في بوابة عنصر ضبط الطاقة، ويتم التحكم في إخراج LDO عن طريق تغيير حالة التوصيل لأنبوب الضبط، أي Vout = (R1 + R2)/ R2 × Vref
يحتوي المنظم الخطي المنخفض الفعلي أيضًا على وظائف أخرى مثل حماية ماس كهربائى للحمل، وإيقاف الجهد الزائد، والإغلاق الحراري، وحماية الاتصال العكسي، وما إلى ذلك.

3.المزايا والعيوب والوضع الحالي
تتميز المنظمات الخطية ذات جهد التسرب المنخفض (LDO) بأنها منخفضة التكلفة، وضوضاء منخفضة، وتيار هادئ منخفض، وعدد قليل من المكونات الخارجية، وعادةً ما يكون هناك مكثف واحد أو اثنين فقط، ولها ضوضاء منخفضة جدًا ونسبة رفض إمداد الطاقة (PSRR) عالية.LDO هو نظام مصغر على شريحة (SoC) ذو استهلاك ذاتي منخفض جدًا.يمكن استخدامه للتحكم في القناة الرئيسية الحالية ويحتوي على دوائر أجهزة متكاملة مثل الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات مقاومة منخفضة جدًا على الخط، وثنائيات شوتكي، ومقاومات أخذ العينات، ومقسمات الجهد، بالإضافة إلى الحماية من التيار الزائد، والحماية من درجة الحرارة الزائدة، المصادر المرجعية الدقيقة، ومكبرات الصوت التفاضلية، والمؤخرات، وما إلى ذلك. إن PG هو جيل جديد من LDO مع اختبار ذاتي لكل حالة إخراج ومصدر طاقة آمن مؤجل، والذي يمكن أن يطلق عليه أيضًا اسم Power Good، أي "الطاقة الجيدة أو الطاقة المستقرة". .تتطلب العديد من أجهزة LDO مكثفًا واحدًا فقط عند الإدخال ومكثفًا واحدًا عند الخرج من أجل التشغيل المستقر.
يمكن أن تحقق أجهزة LDO الجديدة المواصفات التالية: ضوضاء الخرج بمقدار 30 ميكروفولت، وPSRR بمقدار 60 ديسيبل، وتيار هادئ قدره 6 ميكرو أمبير، وانخفاض الجهد بمقدار 100 مللي فولت فقط.السبب الرئيسي لهذا الأداء المحسن لمنظمات LDO الخطية هو أن المنظم المستخدم هو P-channel MOSFET، وهو يحركه الجهد ولا يتطلب أي تيار، مما يقلل من التيار الذي يستهلكه الجهاز نفسه وانخفاض الجهد عبره.الانخفاض يساوي تقريبًا منتج تيار الخرج والمقاومة.انخفاض الجهد عبر MOSFET منخفض جدًا بسبب انخفاض مقاومته.تستخدم المنظمات الخطية الشائعة ترانزستورات PNP.في الدوائر التي تحتوي على ترانزستورات PNP، يجب ألا يكون انخفاض الجهد بين المدخلات والمخرجات منخفضًا جدًا لمنع ترانزستور PNP من الدخول في حالة التشبع وتقليل قدرة الخرج.