AQX IRF7416TRPBF شريحة IC للدائرة المتكاملة الجديدة والأصلية IRF7416TRPBF
سمات المنتج
| يكتب | وصف |
| فئة | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة |
| MFR | إنفينيون تكنولوجيز |
| مسلسل | هيكسفيت® |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) قطع الشريط (CT) ديجي ريل® |
| حالة المنتج | نشيط |
| نوع فيت | قناة ف |
| تكنولوجيا | موسفيت (أكسيد المعدن) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 30 فولت |
| التيار – التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 10A (تا) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5 فولت، 10 فولت |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 20 مللي أوم عند 5.6 أمبير، 10 فولت |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 1 فولت عند 250 ميكرو أمبير |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 92 نانو سي @ 10 فولت |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ± 20 فولت |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1700 بيكو فاراد عند 25 فولت |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 2.5 واط (تا) |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) |
| نوع التركيب | سطح جبل |
| حزمة جهاز المورد | 8-SO |
| الحزمة / القضية | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) |
| رقم المنتج الأساسي | IRF7416 |
الوثائق والوسائط
| نوع المورد | وصلة |
| جداول البيانات | IRF7416PbF |
| وثائق أخرى ذات صلة | نظام ترقيم الأجزاء بالأشعة تحت الحمراء |
| وحدات التدريب على المنتج | الدوائر المتكاملة ذات الجهد العالي (برامج تشغيل بوابة HVIC) |
| المنتج المميز | أنظمة معالجة البيانات |
| ورقة بيانات HTML | IRF7416PbF |
| نماذج جمعية الإمارات للغوص | IRF7416TRPBF بواسطة Ultra Librarian |
| نماذج المحاكاة | IRF7416PBF نموذج صابر |
التصنيفات البيئية والتصديرية
| يصف | وصف |
| حالة بنفايات | متوافق مع ROHS3 |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (غير محدود) |
| الوصول إلى الحالة | الوصول إلى غير متأثر |
| ECCN | إير99 |
| هتسسوس | 8541.29.0095 |
مصادر إضافية
| يصف | وصف |
| اسماء اخرى | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| الحزمة القياسية | 4000 |
IRF7416
فوائد
بنية الخلية المستوية لـ SOA واسعة
مُحسّن لتوفير أوسع نطاق من شركاء التوزيع
تأهيل المنتج وفقًا لمعايير JEDEC
السيليكون الأمثل للتطبيقات التي تعمل بالتبديل إلى أقل من 100 كيلو هرتز
حزمة طاقة مثبتة على السطح بمعايير الصناعة
قادرة على أن تكون موجة ملحومة
-30 فولت قناة P واحدة HEXFET Power MOSFET في حزمة SO-8
فوائد
متوافق مع RoHS
انخفاض RDS (تشغيل)
الجودة الرائدة في الصناعة
تصنيف dv/dt الديناميكي
التبديل السريع
تصنيف الانهيار الجليدي بالكامل
درجة حرارة التشغيل 175 درجة مئوية
P-قناة MOSFET
الترانزستور
الترانزستور هوجهاز أشباه الموصلاتتستخدم ليضخم، يوسع، يبالغأويُحوّلالإشارات الكهربائية وقوة.يعتبر الترانزستور أحد اللبنات الأساسية للحداثةإلكترونيات.[1]انه يتكون منمادة أشباه الموصلات، عادة مع ثلاثة على الأقلمحطاتللاتصال بالدائرة الإلكترونية.أالجهد االكهربىأوحاضِريطبق على زوج واحد من أطراف الترانزستور ويتحكم في التيار من خلال زوج آخر من المحطات الطرفية.نظرًا لأن الطاقة (الخرج) التي يتم التحكم فيها يمكن أن تكون أعلى من طاقة التحكم (الإدخال)، يمكن للترانزستور تضخيم الإشارة.يتم تعبئة بعض الترانزستورات بشكل فردي، ولكن يتم العثور على الكثير منها مضمنًا فيهادوائر متكاملة.
النمساوية المجرية فيزيائي يوليوس إدغار ليلينفيلداقترح مفهوم أحقل التأثير الترانزستورفي عام 1926، ولكن لم يكن من الممكن فعليًا بناء جهاز فعال في ذلك الوقت.[2]أول جهاز عمل تم بناؤه كان أترانزستور نقطة الاتصالاخترع في عام 1947 من قبل الفيزيائيين الأمريكيينجون باردينووالتر براتينأثناء العمل تحتوليام شوكليفيمختبرات بيل.الثلاثة تقاسموا عام 1956جائزة نوبل في الفيزياءلإنجازهم.[3]النوع الأكثر استخدامًا من الترانزستور هومعدن أكسيد أشباه الموصلات تأثير الحقل الترانزستور(MOSFET) الذي اخترعهمحمد عطاللهوداون كانجفي مختبرات بيل في عام 1959.[4][5][6]أحدثت الترانزستورات ثورة في مجال الإلكترونيات، ومهدت الطريق لتصنيع أصغر وأرخصأجهزة الراديو,الآلات الحاسبة، وأجهزة الكمبيوتر، ضمن أشياء أخرى.
معظم الترانزستورات مصنوعة من مواد نقية جدًاالسيليكون، وبعض منالجرمانيومولكن في بعض الأحيان يتم استخدام بعض المواد الأخرى شبه الموصلة.قد يحتوي الترانزستور على نوع واحد فقط من حاملات الشحنة، في ترانزستور ذو تأثير المجال، أو قد يحتوي على نوعين من حاملات الشحنة فيناقل ثنائي القطبالأجهزة.بالمقارنة معأنبوب مفرغتكون الترانزستورات عمومًا أصغر حجمًا وتتطلب طاقة أقل لتشغيلها.تتمتع بعض الأنابيب المفرغة بمزايا مقارنة بالترانزستورات عند ترددات التشغيل العالية جدًا أو الفولتية العالية.يتم تصنيع العديد من أنواع الترانزستورات وفقًا لمواصفات موحدة من قبل العديد من الشركات المصنعة.
