خدمة وقفة واحدة SON8 TPS7A8101QDRBRQ1 مع رقائق إلكترونيات IC الأصلية والجديدة

تتميز المنظمات الخطية ذات جهد التسرب المنخفض (LDO) بأنها منخفضة التكلفة، وضوضاء منخفضة، وتيار هادئ منخفض، وعدد قليل من المكونات الخارجية، وعادةً ما يكون هناك مكثف واحد أو اثنين فقط، ولها ضوضاء منخفضة جدًا ونسبة رفض إمداد الطاقة (PSRR) عالية.LDO هو نظام مصغر على شريحة (SoC) ذو استهلاك ذاتي منخفض جدًا.يمكن استخدامه للتحكم في القناة الرئيسية الحالية ويحتوي على دوائر أجهزة متكاملة مثل الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات مقاومة منخفضة جدًا على الخط، وثنائيات شوتكي، ومقاومات أخذ العينات، ومقسمات الجهد، بالإضافة إلى الحماية من التيار الزائد، والحماية من درجة الحرارة الزائدة، المصادر المرجعية الدقيقة، ومكبرات الصوت التفاضلية، والمؤخرات، وما إلى ذلك. إن PG هو جيل جديد من LDO مع اختبار ذاتي لكل حالة إخراج ومصدر طاقة آمن مؤجل، والذي يمكن أن يطلق عليه أيضًا اسم Power Good، أي "الطاقة الجيدة أو الطاقة المستقرة". .تتطلب العديد من أجهزة LDO مكثفًا واحدًا فقط عند الإدخال ومكثفًا واحدًا عند الخرج من أجل التشغيل المستقر.

يمكن أن تحقق أجهزة LDO الجديدة المواصفات التالية: ضوضاء الخرج بمقدار 30 ميكروفولت، وPSRR بمقدار 60 ديسيبل، وتيار هادئ قدره 6 ميكرو أمبير، وانخفاض الجهد بمقدار 100 مللي فولت فقط.السبب الرئيسي لهذا الأداء المحسن لمنظمات LDO الخطية هو أن المنظم المستخدم هو P-channel MOSFET، وهو يحركه الجهد ولا يتطلب أي تيار، مما يقلل من التيار الذي يستهلكه الجهاز نفسه وانخفاض الجهد عبره.الانخفاض يساوي تقريبًا منتج تيار الخرج والمقاومة.انخفاض الجهد عبر MOSFET منخفض جدًا بسبب انخفاض مقاومته.تستخدم المنظمات الخطية الشائعة ترانزستورات PNP.في الدوائر التي تحتوي على ترانزستورات PNP، يجب ألا يكون انخفاض الجهد بين المدخلات والمخرجات منخفضًا جدًا لمنع ترانزستور PNP من الدخول في حالة التشبع وتقليل قدرة الخرج.