10AX066H3F34E2SG 100% مضخم عزل جديد وأصلي 1 دائرة تفاضلية 8-SOP
سمات المنتج
| الاتحاد الأوروبي بنفايات | متوافق |
| شبكة الاتصالات الإلكترونية (الولايات المتحدة) | 3A001.a.7.ب |
| حالة الجزء | نشيط |
| هيئة تحرير الشام | 8542.39.00.01 |
| السيارات | No |
| PPAP | No |
| اسم العائلة | آريا® 10 جي إكس |
| تكنولوجيا العملية | 20 نانومتر |
| إدخال/إخراج المستخدم | 492 |
| عدد المسجلين | 1002160 |
| جهد إمداد التشغيل (V) | 0.9 |
| عناصر المنطق | 660000 |
| عدد المضاعفات | 3356 (18x19) |
| نوع ذاكرة البرنامج | سرام |
| الذاكرة المدمجة (كيلوبت) | 42660 |
| إجمالي عدد كتلة ذاكرة الوصول العشوائي | 2133 |
| وحدات منطق الجهاز | 660000 |
| رقم الجهاز لمكتبات DLL/PLLs | 16 |
| قنوات الإرسال والاستقبال | 24 |
| سرعة جهاز الإرسال والاستقبال (جيجابايت في الثانية) | 17.4 |
| DSP مخصص | 1678 |
| بكيي | 2 |
| قابلية البرمجة | نعم |
| دعم إعادة البرمجة | نعم |
| حماية النسخ | نعم |
| إمكانية البرمجة داخل النظام | نعم |
| مستوى السرعة | 3 |
| معايير الإدخال/الإخراج أحادية العضوية | LVTTL|LVCMOS |
| واجهة الذاكرة الخارجية | DDR3 SDRAM|DDR4|LPDDR3|RLDRAM II|RLDRAM III|QDRII+SRAM |
| الحد الأدنى لجهد إمداد التشغيل (V) | 0.87 |
| الحد الأقصى لجهد إمداد التشغيل (V) | 0.93 |
| جهد الإدخال/الإخراج (فولت) | 1.2|1.25|1.35|1.5|1.8|2.5|3 |
| الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل (درجة مئوية) | 0 |
| درجة حرارة التشغيل القصوى (درجة مئوية) | 100 |
| درجة حرارة المورد | ممتد |
| اسم تجاري | آريا |
| تصاعد | سطح جبل |
| ارتفاع الحزمة | 2.63 |
| عرض الحزمة | 35 |
| طول الحزمة | 35 |
| تم تغيير ثنائي الفينيل متعدد الكلور | 1152 |
| اسم الحزمة القياسية | بغا |
| حزمة المورد | FC-FBGA |
| عدد الدبوس | 1152 |
| شكل الرصاص | كرة |
نوع الدائرة المتكاملة
بالمقارنة مع الإلكترونات، لا تحتوي الفوتونات على كتلة ثابتة، وتفاعل ضعيف، وقدرة قوية على مقاومة التداخل، وهي أكثر ملاءمة لنقل المعلومات.ومن المتوقع أن يصبح التوصيل البيني البصري هو التكنولوجيا الأساسية لاختراق جدار استهلاك الطاقة وجدار التخزين وجدار الاتصالات.تم دمج أجهزة الإنارة، والمقرنة، والمغير، والدليل الموجي في الميزات البصرية عالية الكثافة مثل النظام الجزئي المتكامل الكهروضوئي، ويمكن تحقيق الجودة والحجم واستهلاك الطاقة للتكامل الكهروضوئي عالي الكثافة، ومنصة التكامل الكهروضوئية بما في ذلك مركب أشباه الموصلات المتجانسة III - V المتكامل (INP) ) منصة التكامل السلبي، منصة السيليكات أو الزجاج (الدليل الموجي البصري المستوي، PLC) والمنصة القائمة على السيليكون.
يتم استخدام منصة InP بشكل أساسي لإنتاج الليزر والمغير والكاشف والأجهزة النشطة الأخرى، ومستوى التكنولوجيا المنخفض، وتكلفة الركيزة العالية؛استخدام منصة PLC لإنتاج مكونات سلبية، خسارة منخفضة، حجم كبير؛المشكلة الأكبر في كلا المنصتين هي أن المواد غير متوافقة مع الإلكترونيات القائمة على السيليكون.الميزة الأبرز للتكامل الضوئي القائم على السيليكون هي أن العملية متوافقة مع عملية CMOS وتكلفة الإنتاج منخفضة، لذلك يعتبر نظام التكامل الإلكتروني البصري وحتى البصري الكامل الأكثر احتمالية
هناك طريقتان للتكامل بين الأجهزة الضوئية القائمة على السيليكون ودوائر CMOS.
وتتمثل ميزة الأول في أنه يمكن تحسين الأجهزة الضوئية والأجهزة الإلكترونية بشكل منفصل، ولكن التغليف اللاحق صعب والتطبيقات التجارية محدودة.هذا الأخير من الصعب تصميم ومعالجة التكامل بين الجهازين.في الوقت الحاضر، يعتبر التجميع الهجين المعتمد على تكامل الجسيمات النووية هو الخيار الأفضل
